英特尔详解 Intel 3 工艺:应用更多 EUV 光刻,同功耗频率提升至多 18%

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6 月 19 日消息,英特应用作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的尔详人间失格下载一部分,英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的工艺更多V光功耗技术细节。

Intel 3 是刻同英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺,相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的频率步骤,也将是提升一个长期提供代工服务的节点家族,包含基础 Intel 3 和三个变体节点。至多

其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压,英特应用适合模拟模块的制造;而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能,并支持更精细的 9μm 间距 TSV 和混合键合。

英特尔宣称,作为其“终极 FinFET 工艺”,Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择,与埃米级工艺节点一同被内外部代工客户使用。

相较于仅包含 240nm 高性能库(HP 库)的 Intel 4 工艺,Intel 3 引入了 210nm 的高密度(HD)库,在晶体管性能取向上提供更多可能。

英特尔表示,其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的情况下,可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。

此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%,实现了“全节点”级别的提升。

而在晶体管上的金属布线层部分,Intel 3 在 Intel 4 的 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项,分别面向低成本和高性能用途。

具体到每个金属层而言,英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距,主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。

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